DMN3033LSD-13 与 AO4854 区别
| 型号 | DMN3033LSD-13 | AO4854 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN3033LSD-13 | A36-AO4854 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 19mΩ@10V | ||||||||
| ESD Diode | - | Yes | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 725pF @ 15V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13nC @ 10V | - | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.9A | 8A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 8 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 18 | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@6.9A,10V | - | ||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,690 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.375
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2,690 | 对比 | ||||||||||
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FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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FDS6990AS | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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IRF7904TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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