DMN3016LSS-13 与 AO4468 区别
| 型号 | DMN3016LSS-13 | AO4468 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-DMN3016LSS-13 | A36-AO4468 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 82 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 3.1W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 9 | ||||||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 3 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 5 | ||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 10.5A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 740 | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 17mΩ@10.5A,10V | ||||||||
| Trr(ns) | - | 18 | ||||||||
| Coss(pF) | - | 110 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 7.5 | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,500 | 21,859 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8988
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21,859 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
￥2.856
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2,151 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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1,600 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.5988
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269 | 对比 |
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