DMN3016LSS-13 与 RS3E135BNGZETB 区别
| 型号 | DMN3016LSS-13 | RS3E135BNGZETB | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-DMN3016LSS-13 | A33-RS3E135BNGZETB-0 | ||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 2W(Tc) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOIC | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 9.5A(Ta) | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 680pF @ 15V | ||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 14.6mΩ@9.5A,10V | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.3nC @ 4.5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 2,500 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN3016LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.8988
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21,859 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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FDS6690A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12.5mΩ@11A,10V ±20V SO-8 -55°C~150°C 11A 30V 2.5W N-Channel |
￥2.856
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2,151 | 对比 | ||||||||||||||
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RS3E135BNGZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 9.5A(Ta) ±20V 2W(Tc) 14.6mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC |
￥3.9097
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1,600 | 对比 | ||||||||||||||
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AO4468 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C |
￥0.5988
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269 | 对比 |
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