DMN3009SK3-13 与 AOD418 区别
| 型号 | DMN3009SK3-13 | AOD418 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-DMN3009SK3-13 | A-AOD418 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.5mΩ@30A,10V | 7.5mΩ@20A,10V | ||||||||||||||
| 上升时间 | 4.1ns | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 44W | 50W | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 42nC | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 31ns | - | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 80A | 36A | ||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||
| 下降时间 | 15ns | - | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 3.9ns | - | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 15V | - | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 42nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,496 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN3009SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-252-3 80A 44W 5.5mΩ@30A,10V 30V ±20V |
￥3.4702
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0 | 当前型号 | ||||||||||
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AOD418 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 30V ±20V 36A 50W 7.5mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥3.0612
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2,496 | 对比 | ||||||||||
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IRFR3709ZTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 86A(Tc) ±20V 79W(Tc) 6.5mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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