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DMN26D0UT-7  与  NTA4001NT1G  区别

型号 DMN26D0UT-7 NTA4001NT1G
唯样编号 A3-DMN26D0UT-7 A36-NTA4001NT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 20 V 3 Ohm SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-523 SC-75(SOT-523)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 0.23A -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3Ω@100mA,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 14.1pF @ 15V -
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 300mW(Ta) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.2V,4.5V -
栅极电压Vgs ±10V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 9,770
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥0.5239
200+ :  ¥0.338
1,500+ :  ¥0.2938
3,000+ :  ¥0.26
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±10V 300mW(Ta) 3Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523 N-Channel 20V 0.23A

暂无价格 0 当前型号
RUM002N02T2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A

¥0.5797 

阶梯数 价格
90: ¥0.5797
500: ¥0.2625
4,000: ¥0.177
8,000: ¥0.1442
254,577 对比
RUM002N02T2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A

¥1.2266 

阶梯数 价格
130: ¥1.2266
300: ¥0.7657
500: ¥0.6464
1,000: ¥0.5569
48,000 对比
RUM002N02T2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A

¥1.2266 

阶梯数 价格
130: ¥1.2266
300: ¥0.7657
500: ¥0.6464
1,000: ¥0.5569
47,700 对比
RUM002N02T2L ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A

¥0.175 

阶梯数 价格
8,000: ¥0.175
40,000 对比
NTA4001NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SC-75(SOT-523)

¥0.5239 

阶梯数 价格
100: ¥0.5239
200: ¥0.338
1,500: ¥0.2938
3,000: ¥0.26
9,770 对比

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