DMN26D0UT-7 与 NTA4001NT1G 区别
| 型号 | DMN26D0UT-7 | NTA4001NT1G | ||||||
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| 唯样编号 | A3-DMN26D0UT-7 | A36-NTA4001NT1G | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 20 V 3 Ohm SMT Enhancement Mode Mosfet - SOT-523 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-523 | SC-75(SOT-523) | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 0.23A | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3Ω@100mA,4.5V | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 14.1pF @ 15V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW(Ta) | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.2V,4.5V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±10V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 11,367 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 300mW(Ta) 3Ω@100mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523 N-Channel 20V 0.23A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RUM002N02T2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A |
￥0.6344
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260,676 | 对比 | ||||||||||||||
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RUM002N02T2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A |
￥1.2649
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48,000 | 对比 | ||||||||||||||
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RUM002N02T2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A |
￥1.2649
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44,623 | 对比 | ||||||||||||||
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NTA4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SC-75(SOT-523) |
￥0.4992
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11,367 | 对比 | ||||||||||||||
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RUM002N02T2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 150mW(Ta) 1.2Ω@200mA,2.5V 150°C(TJ) VMT N-Channel 20V 0.2A |
￥0.175
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8,000 | 对比 |
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