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DMN2300U-7  与  RUR020N02TL  区别

型号 DMN2300U-7 RUR020N02TL
唯样编号 A3-DMN2300U-7 A33-RUR020N02TL-2
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23 RUR020N02 Series 20 V 2 A 2 nC Surface Mount N-Channel Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 175mΩ 105mΩ@2A,4.5V
上升时间 2.8ns -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.55W 540mW(Ta)
Qg-栅极电荷 1.6nC -
栅极电压Vgs 450mV ±10V
典型关闭延迟时间 38ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23 TSMT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.4A 2A
系列 DMN22 -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA 1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V 180pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.6nC @ 4.5V 2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.5V,4.5V
下降时间 13ns -
典型接通延迟时间 3.5ns -
库存与单价
库存 75,000 19,416
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥1.4757
500+ :  ¥1.2362
1,000+ :  ¥1.1978
2,000+ :  ¥1.1116
4,000+ :  ¥1.102
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
23,953 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
19,416 对比
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SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.045 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.045
6,000: ¥1.0188
12,000: ¥0.9933
15,000 对比
NDS331N ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
200: ¥1.0912
1,500: ¥0.9482
3,000: ¥0.825
9,829 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,830 对比

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