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DMN2300U-7  与  NDS331N  区别

型号 DMN2300U-7 NDS331N
唯样编号 A3-DMN2300U-7 A32-NDS331N-1
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23 Single N-Channel 20 V 0.5 W 5 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 175mΩ 160 毫欧 @ 1.5A,4.5V
上升时间 2.8ns -
Qg-栅极电荷 1.6nC -
栅极电压Vgs 450mV ±8V
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.4A 1.3A(Ta)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.7V,4.5V
下降时间 13ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 162pF @ 10V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 0.55W 500mW(Ta)
典型关闭延迟时间 38ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMN22 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 64.3pF @ 25V 162pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.6nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 3.5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 75,000 15,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥1.045
6,000+ :  ¥1.0188
12,000+ :  ¥0.9933
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

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2,000: ¥1.1116
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阶梯数 价格
3,000: ¥1.045
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12,000: ¥0.9933
15,000 对比
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¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.43
750: ¥1.188
1,500: ¥1.0791
3,000: ¥0.9889
11,296 对比
RUR020N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

TSMT

¥1.4757 

阶梯数 价格
110: ¥1.4757
500: ¥1.2362
1,000: ¥1.1978
2,000: ¥1.1116
4,000: ¥1.102
8,850 对比

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