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DMN2058U-7  与  IRLML2502TRPBF-1  区别

型号 DMN2058U-7 IRLML2502TRPBF-1
唯样编号 A3-DMN2058U-7 A-IRLML2502TRPBF-1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@6A,10V 80mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 1.25W
漏源极电压Vds 20V 20V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1.13W -
栅极电压Vgs ±12V 12V
RthJA max - 75.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 1.7nC
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4.6A(Ta) 3.4A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V -
QG - 8.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 281pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V -
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.4088
15,000+ :  ¥0.3785
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2058U-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.13W -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 20V 4.6A(Ta) 35mΩ@6A,10V

¥0.4088 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.4088
15,000: ¥0.3785
0 当前型号
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 1.13W ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 20V 4.6A(Ta)

¥0.6512 

阶梯数 价格
80: ¥0.6512
100: ¥0.5317
500: ¥0.4836
2,500: ¥0.4472
5,000: ¥0.4186
8,817 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

¥0.4979 

阶梯数 价格
110: ¥0.4979
200: ¥0.3211
1,500: ¥0.2795
6,592 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

暂无价格 0 对比
DMG3420U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 5.47A 740mW 29mΩ@6A,10V 20V ±12V

暂无价格 0 对比
IRLML2502TRPBF-1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

20V SOT-23 N-Channel 12V 3.4A 80mΩ

暂无价格 0 对比

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