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DMN2050L-7  与  RUR040N02TL  区别

型号 DMN2050L-7 RUR040N02TL
唯样编号 A3-DMN2050L-7 A33-RUR040N02TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMN2050L Series 20 V 29 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5A,4.5V 35mΩ@4A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SC-96
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.9A 4A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 532pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2V,4.5V 1.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 680pF @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 54,000 4,011
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥2.5011
100+ :  ¥2.3765
500+ :  ¥1.974
1,000+ :  ¥1.8974
2,000+ :  ¥1.7728
4,000+ :  ¥1.7536
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SOT-23

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200: ¥0.5852
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¥2.5011 

阶梯数 价格
60: ¥2.5011
100: ¥2.3765
500: ¥1.974
1,000: ¥1.8974
2,000: ¥1.7728
4,000: ¥1.7536
4,011 对比

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