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DMN2041LSD-13  与  IRF7311PBF  区别

型号 DMN2041LSD-13 IRF7311PBF
唯样编号 A3-DMN2041LSD-13 A-IRF7311PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO Dual N-Channel 20 V 2 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 29mΩ@6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) - 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 28mΩ@6A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 550pF @ 10V -
FET类型 2N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 15.6nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.63A 6.6A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 900pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN2041LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 20V 7.63A

暂无价格 0 当前型号
IRF7301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.6A,4.5V 2W N-Channel 20V 5.2A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7311PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

29mΩ@6A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 20V 6.6A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7311TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 29mΩ@6A,4.5V 2W N-Channel 20V 6.6A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7301PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

50mΩ@2.6A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 20V 5.2A 8-SO

暂无价格 0 对比

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