DMN10H099SK3-13 与 IRFR3910TRPBF 区别
| 型号 | DMN10H099SK3-13 | IRFR3910TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN10H099SK3-13 | A-IRFR3910TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | Single N-Channel 100 V 0.115 Ohm 44 nC 79 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 34W(Tc) | 79W |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 17A | 16A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1172pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25.2nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 80mΩ@3.3A,10V | 115mΩ@10A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRLR3410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) 105mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AUIRLR3410TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) 17A 105mΩ 16V 79W N-Channel 100V 车规 DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AUIRLR3410TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFR3910PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
115mΩ@10A,10V ±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 16A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRFR3910TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 79W 115mΩ@10A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 16A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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