DMN10H099SK3-13 与 IRFR024NTRPBF 区别
| 型号 | DMN10H099SK3-13 | IRFR024NTRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN10H099SK3-13 | A-IRFR024NTRPBF | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80mΩ@3.3A,10V | 75mΩ@10A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 55V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 34W(Tc) | 45W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | DPAK | D-Pak | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 17A | 17A | ||
| 系列 | - | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1172pF @ 50V | 370pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25.2nC @ 10V | 20nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 2,000 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
￥1.4011
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0 | 当前型号 | ||||
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IRFR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||
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IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||
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IRLR3410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) 105mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AUIRLR3410TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFR3910PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
115mΩ@10A,10V ±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 16A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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