DMG6898LSD-13 与 IRF8910TRPBF 区别
| 型号 | DMG6898LSD-13 | IRF8910TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMG6898LSD-13 | A-IRF8910TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | DMG6898LSD Series 20 V 9.5 A Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1.28W | 2W |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 9.5A | 10A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | 2.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1149pF @ 10V | 960pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26nC @ 10V | 11nC @ 4.5V |
| 导通电阻Rds(On) | 16mΩ@9.4A,4.5V | 13.4mΩ@10A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.55V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 960pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 7,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG6898LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9.4A,4.5V 1.28W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 20V 9.5A |
暂无价格 | 7,500 | 当前型号 |
|
IRF8910TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 13.4mΩ@10A,10V 2W N-Channel 20V 10A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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