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DMG2307L-7  与  IRLML5203TRPBF  区别

型号 DMG2307L-7 IRLML5203TRPBF
唯样编号 A3-DMG2307L-7 A33-IRLML5203TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 0.76W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.5A,10V 98mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 3A
系列 DMG HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 371.3pF @ 15V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 45,200 17,870
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
120+ :  ¥1.2937
500+ :  ¥1.1691
1,000+ :  ¥1.1691
2,000+ :  ¥1.1595
4,000+ :  ¥1.1595
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

暂无价格 45,200 当前型号
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
31,555 对比
IRLML5203TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥1.2937 

阶梯数 价格
120: ¥1.2937
500: ¥1.1691
1,000: ¥1.1691
2,000: ¥1.1595
4,000: ¥1.1595
17,870 对比
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
7,322 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-363T-6

¥2.4148 

阶梯数 价格
70: ¥2.4148
100: ¥2.2902
500: ¥1.9261
1,000: ¥1.859
2,000: ¥1.7249
3,000 对比
BSS308PE H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS308PEH6327XTSA1_SOT-23

¥1.0967 

阶梯数 价格
50: ¥1.0967
200: ¥0.8437
1,500: ¥0.7337
1,902 对比

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