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DMG2307L-7  与  IRLML5203TRPBF  区别

型号 DMG2307L-7 IRLML5203TRPBF
唯样编号 A3-DMG2307L-7 A-IRLML5203TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 1.25 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 0.76W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@2.5A,10V 98mΩ@3A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 3A
系列 DMG HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 371.3pF @ 15V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.2nC @ 10V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

暂无价格 0 当前型号
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

3.8A 1.36W 90mΩ 30V 3V SOT-23-3 -55°C~150°C 车规

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
2,432 对比
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta)

¥0.9911 

阶梯数 价格
60: ¥0.9911
200: ¥0.7623
1,500: ¥0.6622
1,679 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C

¥2.1561 

阶梯数 价格
70: ¥2.1561
100: ¥1.7728
500: ¥1.6961
1,000: ¥1.6386
1,269 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C

暂无价格 150 对比
RRL025P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.5A 1W 55mΩ 30V 2.5V SOT-363T-6 -55°C~150°C

¥5.6583 

阶梯数 价格
1: ¥5.6583
100: ¥3.2705
1,500: ¥2.0735
3,000: ¥1.4991
100 对比

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