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DMG1016V-7  与  PMDT290UCE,115  区别

型号 DMG1016V-7 PMDT290UCE,115
唯样编号 A3-DMG1016V-7 A36-PMDT290UCE,115
制造商 Diodes Incorporated Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N & P Channel 400 mO 20 Vds Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet - SOT-563 MOSFET N/P-CH 20V SOT666
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 400mΩ@600mA,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 530mW 0.33W
输出电容 - 15pF
栅极电压Vgs - 0.75V,8V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 SOT-563 SOT666
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150℃
连续漏极电流Id 0.87A,0.64A 0.8A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 60.67pF @ 16V -
输入电容 - 55pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.74nC @ 4.5V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 380mΩ@4.5V,620mΩ@2.5V
库存与单价
库存 0 940
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.375
100+ :  ¥1.0615
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG1016V-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

400mΩ@600mA,4.5V 530mW -55°C~150°C(TJ) SOT-563 N+P-Channel 20V 0.87A,0.64A

暂无价格 0 当前型号
PMDT290UCE,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDT290UCE_SOT666 N+P-Channel 0.33W 150℃ 0.75V,8V 20V 0.8A

¥1.375 

阶梯数 价格
40: ¥1.375
100: ¥1.0615
940 对比
PMDT290UCE,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMDT290UCE_SOT666 N+P-Channel 0.33W 150℃ 0.75V,8V 20V 0.8A

¥1.2441 

阶梯数 价格
750: ¥1.2441
1,000: ¥0.972
2,000: ¥0.7967
4,000: ¥0.6928
0 对比

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