DMC6040SSD-13 与 IRF7343PBF 区别
| 型号 | DMC6040SSD-13 | IRF7343PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMC6040SSD-13 | A-IRF7343PBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO | Double HexFet -55/55 V 2 W 36/38 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 50mΩ@4.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@8A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1130pF @ 15V | - |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 20.8nC @ 10V | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 5.1A,3.1A | 4.7A,3.4A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 740pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC6040SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
IRF7343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
IRF7343PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@4.7A,10V 2W N+P-Channel 55V 4.7A,3.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AO4612 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C |
￥2.8012
|
0 | 对比 | ||||
|
AUIRF7343QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
55V 4.7A,3.4A 50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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