BSS5130AHZGT116 与 BSS5130AT116 区别
| 型号 | BSS5130AHZGT116 | BSS5130AT116 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-BSS5130AHZGT116 | A33-BSS5130AT116 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | BSS5130AHZG IS A SOT-23 PACKAGE | TRANS 100V 100A SOT-23 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||
| 特征频率fT | 320MHz | 320MHz | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -380mV | -380mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||
| VCBO | -30V | -30V | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 集电极电流Ic | -1A | -1A | ||||||||
| VEBO | -6V | -6V | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -30V | -30V | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 270 | 270 | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 320 | 1,995 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSS5130AHZGT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -30V -1A 车规 PNP |
暂无价格 | 320 | 当前型号 | ||||||||||
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BSS5130AT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -30V -1A PNP |
￥0.9975
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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BSS5130AT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -30V -1A PNP |
￥1.1116
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1,995 | 对比 | ||||||||||
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BSS5130AT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -30V -1A PNP |
￥0.7779
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1,917 | 对比 | ||||||||||
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BSS5130AT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -30V -1A PNP |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||
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BSS5130AT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -30V -1A PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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