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BSS138K  与  RK7002BT116  区别

型号 BSS138K RK7002BT116
唯样编号 A3-BSS138K A-RK7002BT116
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 50 V Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 350mW(Ta) -
功率耗散(最大值) - 200mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6 欧姆 @ 50mA,5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 15pF @ 25V
栅极电压Vgs ±12V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SST3
连续漏极电流Id 220mA(Ta) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.4 欧姆 @ 250mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,2.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 58pF -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 50V -
Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 1mA
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 58pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 250mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.4nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138K ON Semiconductor 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
RUC002N05T116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.117 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.117
12,000 对比
RUC002N05T116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.8552 

阶梯数 价格
180: ¥0.8552
500: ¥0.7359
1,000: ¥0.6265
2,000: ¥0.5569
4,000: ¥0.5569
5,708 对比
RUC002N05T116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.3263
309 对比
RUC002N05T116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 64 对比
RK7002BT116 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SST3

暂无价格 0 对比

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