BSS123LT1G 与 BSS123TA 区别
| 型号 | BSS123LT1G | BSS123TA | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-BSS123LT1G | A36-BSS123TA | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 0.17A | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6Ω@100mA,10V | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 1mA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 20pF @ 25V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 360mW(Ta) | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3,000 | 186 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS123LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
BSS123,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
TO-236AB N-Channel 0.25W 150°C 20V 100V 0.15A |
￥0.6369
|
28,259 | 对比 | ||||||||||
|
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 170mA 300mW 6Ω@170mA,10V 100V ±20V N-Channel |
￥0.6655
|
25,129 | 对比 | ||||||||||
|
BSS123 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.4849
|
13,307 | 对比 | ||||||||||
|
BSS123-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
|
BSS123TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 360mW(Ta) 6Ω@100mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 100V 0.17A |
￥0.5984
|
186 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
