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BA4580YF-MGE2  与  TL082QDRQ1  区别

型号 BA4580YF-MGE2 TL082QDRQ1
唯样编号 A3-BA4580YF-MGE2 A36-TL082QDRQ1
制造商 ROHM Semiconductor TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 运算放大器 运算放大器
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Vcm - 共模电压 ±13.5V -
电压 - 电源,单/双(±) - 7 V ~ 36 V,±3.5 V ~ 18 V
Ios - 输入偏置电流 5nA -
放大器类型 LowNoiseAmplifier J-FET
产品特性 - 车规
压摆率 - 13 V/µs
电流 - 电源 - 1.4mA
关闭 No Shutdown -
封装/外壳 - 8-SOIC
工作温度 -40°C ~ 105°C -40°C ~ 125°C
Ib - 输入偏流 100 nA -
电源电压-最小 4 V -
工作电源电流(mA) 6 mA -
电路数 - 2
CMRR - 共模抑制比 110 dB -
GBP-增益带宽产品 10 MHz -
THD + 噪声 0.0005% -
Vos - 输入偏置电压 0.3 mV -
en - 输入电压噪声密度 5nV/sqrtHz -
每个通道的输出电流 50 mA -
电压 - 输入失调 - 3mV
SR - 转换速率 5 V/us -
通道数量 2 Channel -
PSRR - 电源抑制比 110dB -
最大双重电源电压 ±16V -
电流 - 输入偏置 - 30pA
最小双重电源电压 ±2V -
电源电压-最大 32 V -
增益带宽积 - 3MHz
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BA4580YF-MGE2 ROHM Semiconductor  数据手册 运算放大器

暂无价格 2,500 当前型号
TL082QDRQ1 TI  数据手册 运算放大器

8-SOIC 车规

暂无价格 0 对比

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