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AO4430  与  IRF7832TRPBF  区别

型号 AO4430 IRF7832TRPBF
唯样编号 A3-AO4430 A-IRF7832TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 355 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@10V 4mΩ@20A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 7.5mΩ -
Qgd(nC) 15 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 18A 20A
工作温度 - -55°C~155°C(TJ)
Ciss(pF) 6060 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.32V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4310pF @ 15V
Trr(ns) 33.5 -
Td(off)(ns) 51.5 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 22 Ohms -
VGS(th) 2.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.32V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4310pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 51nC @ 4.5V
Coss(pF) 638 -
Qg*(nC) 48 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4430 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 18A 3W 5.5mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IRF7832PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO

暂无价格 0 对比
AO4430L AOS 功率MOSFET

18A(Ta) N-Channel ±20V 5.5 mΩ @ 18A,10V 8-SOIC 3W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
BSO065N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRF7832TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~155°C(TJ) 4mΩ@20A,10V N-Channel 30V 20A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8736PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 4.8mΩ@18A,10V N-Channel 30V 18A 8-SO

暂无价格 0 对比

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