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AO3407  与  IRLML9301TRPBF  区别

型号 AO3407 IRLML9301TRPBF
唯样编号 A3-AO3407 A36-IRLML9301TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 65 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 52mΩ@10V 64mΩ@3.6A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 87mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 SOT23-3 Micro3™/SOT-23
连续漏极电流Id -4.1A 3.6A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 520 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
Trr(ns) 11 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 1.3W(Ta)
Qrr(nC) 5.3 -
VGS(th) -2.5 -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 388pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 4.8nC @ 4.5V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 4.6 -
库存与单价
库存 0 36,421
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
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70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
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9,096 对比

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