2SD1834T100 与 BST51,115 区别
| 型号 | 2SD1834T100 | BST51,115 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-2SD1834T100 | A-BST51,115 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | BJT三极管 | 达林顿晶体管 | ||
| 描述 | 2SD1834 Series 60 V 1 A SMT NPN Medium Power Transistor - MPT-3 | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 关断时间Toff | - | 1500ns | ||
| 功率耗散Pd | 500mW | - | ||
| 功率 | - | 1.3W | ||
| 特征频率fT | 150MHz | 200MHz | ||
| 产品特性 | - | 车规 | ||
| 集电极-射极饱和电压 | 1.5V | 60mV | ||
| FET类型 | - | NPN | ||
| 封装/外壳 | SOT-89 | SOT89 | ||
| VCBO | 60V | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||
| 集电极电流Ic | 1A | 500A | ||
| VEBO | 7V | - | ||
| 尺寸 | - | 4.5 x 2.5 x 1.5 | ||
| 集电极-发射极Vceo | 60V | - | ||
| 直流电流增益hFE | 2000 | >2000,2000 | ||
| 晶体管类型 | NPN | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3,020 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
