2SAR502E3HZGTL 与 2SAR502E3TL 区别
| 型号 | 2SAR502E3HZGTL | 2SAR502E3TL | ||||
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| 唯样编号 | A3-2SAR502E3HZGTL | A32-2SAR502E3TL-1 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor for Automotive | PNP, SOT-416, -30V -0.5A, General Purpose Transistor | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||
| 特征频率fT | 520MHz | - | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | -400mV | - | ||||
| 封装/外壳 | SOT-416 | EMT3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||
| VCBO | -30V | - | ||||
| 集电极电流Ic | -500mA | - | ||||
| VEBO | -6V | - | ||||
| 直流电流增益hFE | 200 | - | ||||
| 集电极-发射极Vceo | -30V | - | ||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 3,000 | 3,100 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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2SAR502E3HZGTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
150mW SOT-416 -500mA -30V 车规 PNP |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||
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2SAR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 PNP |
￥0.6415
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3,100 | 对比 | ||||||
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2SAR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 PNP |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||
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2SAR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 PNP |
暂无价格 | 64 | 对比 | ||||||
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2SAR502E3TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT3 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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