2N7002KT1G 与 RK7002BT116 区别
| 型号 | 2N7002KT1G | RK7002BT116 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-2N7002KT1G | A36-RK7002BT116 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 200mW(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6Ω@500mA,10V | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 15pF @ 25V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SST3 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 320mA(Ta) | - | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 2.4 欧姆 @ 250mA,10V | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 2.5V,10V | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 24.5pF @ 20V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW(Ta) | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.3V @ 1mA | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 24.5pF @ 20V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.7nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 250mA(Ta) | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.7nC @ 4.5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 26,423 | 6,802 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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2N7002KT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta) |
暂无价格 | 26,423 | 当前型号 | ||||||||||||||
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2N7002K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel |
￥0.5852
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281,804 | 对比 | ||||||||||||||
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BSS138P,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.35W 150°C 1.2V 60V 0.36A 车规 |
￥0.6655
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31,352 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 390mW(Ta) 1.8Ω@150mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.47A 车规 |
￥1.65
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19,957 | 对比 | ||||||||||||||
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2N7002-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 N-Channel 370mW 7.5Ω@50mA,5V -55°C~150°C ±20V 60V 115mA |
￥0.2355
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7,934 | 对比 | ||||||||||||||
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RK7002BT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 SST3 |
￥0.6655
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6,802 | 对比 |
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