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2N7002K-T1-GE3  与  2N7002LT1G  区别

型号 2N7002K-T1-GE3 2N7002LT1G
唯样编号 A3-2N7002K-T1-GE3 A-2N7002LT1G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 0.35W -
Qg-栅极电荷 0.4nC -
栅极电压Vgs 1V -
典型关闭延迟时间 35ns -
正向跨导 - 最小值 100mS -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 300mA -
系列 2N7002K -
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 30pF @ 25V -
长度 2.9mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.6nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 25ns -
高度 1.45mm -
库存与单价
库存 0 120,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 300mA 0.35W 2Ω 60V 1V

暂无价格 0 当前型号
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

370mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 60V 380mA 2Ω 1V N-Channel

¥0.2265 

阶梯数 价格
230: ¥0.2265
1,500: ¥0.1418
3,000: ¥0.1125
1,345,589 对比
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±20V 350mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 1.6Ω@500mA,10V N-Channel 60V 320mA(Ta)

¥0.6193 

阶梯数 价格
90: ¥0.6193
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
137,083 对比
2N7002LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 120,000 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 39,600 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥0.1995 

阶梯数 价格
260: ¥0.1995
1,500: ¥0.174
3,000: ¥0.1545
34,283 对比

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