| 型号 | 2N7002DW | UM6K31NTN | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-2N7002DW-10 | A33-UM6K31NTN-1 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET - 阵列 60V 115mA 200mW 表面贴装型 SC-88(SC-70-6) | UM6K31N Series 60 V 250 mA 2.4 Ohm Silicon Surface Mount N-Channel Mosfet - UMT6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SC-70-6(SOT-363) | UMT | ||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.25A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.4Ω@250mA,10V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.3V @ 1mA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 15pF @ 25V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 150mW | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,005 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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2N7002DW | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SC-70-6(SOT-363) |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
暂无价格 | 3,100 | 对比 | ||||||||||
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2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 230mA 0.4W 7.5Ω 70V 1V 2N-Channel |
¥0.5239
|
2,794 | 对比 | ||||||||||
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UM6K31NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2.4Ω@250mA,10V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 60V 0.25A ±20V |
¥1.4278
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2,005 | 对比 | ||||||||||
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DMN66D0LDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
5Ω@115mA,10V 250mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 60V 0.115A |
¥0.1926
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1,829 | 对比 | ||||||||||
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DMN601DWKQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel SOT-363 -65°C~150°C(TJ) 60V 305mA(Ta) 车规 |
¥0.6127
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1,189 | 对比 |