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ZXMN6A08GTA  与  BSP320SH6327XTSA1  区别

型号 ZXMN6A08GTA BSP320SH6327XTSA1
唯样编号 A-ZXMN6A08GTA A-BSP320SH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.8W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 80mΩ@4.8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 459 pF @ 40 V 340pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 5.8 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-223-3 TO-261-4,TO-261AA
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 20uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 120 毫欧 @ 2.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.9A(Tj)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 3.8A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,000: ¥1.0307
1,217 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比
ZXMN6A08GQTC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 3.8A(Ta) 车规

暂无价格 0 对比
BSP320SH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP320S H6327_N 通道 TO-261-4,TO-261AA -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比

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