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ZXMN10A08E6TC  与  ZXMN10A08E6TA  区别

型号 ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TA
唯样编号 A-ZXMN10A08E6TC A-ZXMN10A08E6TA
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26 ZXMN10A08 Series 100 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -SOT-23-6
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 250mΩ@3.2A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 1.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 250mΩ@3.2A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 405 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 7.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-26 SOT-26
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.5A(Ta) 3.5A
驱动电压 6V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 405pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN10A08E6TC Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.1W(Ta) ±20V SOT-26 -55℃~150℃(TJ) 100V 1.5A(Ta)

暂无价格 0 当前型号
ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 250mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 100V 3.5A

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.397
750: ¥1.243
1,500: ¥1.177
2,500 对比
ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 250mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 100V 3.5A

暂无价格 0 对比
ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.1W(Ta) 250mΩ@3.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 N-Channel 100V 3.5A

暂无价格 0 对比

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