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W9812G6KH-6  与  IS45S16800F-7TLA2  区别

型号 W9812G6KH-6 IS45S16800F-7TLA2
唯样编号 A-W9812G6KH-6 A-IS45S16800F-7TLA2
制造商 Winbond ISSI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 非易失闪存(NOR Flash) 异步动态随机存储器(DRAM)
描述 128-Mbit(8M × 16bit),并行接口,工作电压:3.3V 128Mb SYNCHRONOUS DRAM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TSOPII-54 54-pin TSOPII
工作温度 - -40°C~105°C(TA)
存储器格式 - DRAM
时钟频率 - 143MHz
存储容量 - 128Mb (8M x 16)
存储器类型 - 易失
电压 - 电源 - 3 V ~ 3.6 V
访问时间 - 5.4ns
存储器接口 - 并联
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
W9812G6KH-6 Winbond  数据手册 非易失闪存(NOR Flash)

TSOPII-54

暂无价格 0 当前型号
IS45S16800F-7TLA2 ISSI  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

54-pin TSOPII

暂无价格 0 对比
MT48LC8M16A2P-6A IT:L Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

¥19.1021 

阶梯数 价格
2,000: ¥19.1021
0 对比
IS45S16800F-7TLA2 ISSI  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

54-pin TSOPII

暂无价格 0 对比
MT48LC8M16A2P-6A:L Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

暂无价格 0 对比
MT48LC8M16A2P-6A IT:L Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

暂无价格 0 对比

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