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VESD03A1C-HD1-GS08  与  SZESD9X3.3ST5G  区别

型号 VESD03A1C-HD1-GS08 SZESD9X3.3ST5G
唯样编号 A-VESD03A1C-HD1-GS08 A3t-SZESD9X3.3ST5G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 TVS二极管 未分类
描述 ESD PROTECTION DIODE LLP1006-e4
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 LLP1006 SOD-923
箝位电压VCL(max) - 10.4V
峰值脉冲电流Ipp - 9.8A(8/20µs)
不同频率时的电容 - 80pF @ 1MHz
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
反向对峙电压VRWM - 3.3V(最大)
击穿电压VBR(min) - 5V
功率 - 峰值脉冲 - 102W
电源线路保护 -
单向通道 - 1 Ohms
FET类型 - 齐纳
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
VESD03A1C-HD1-GS08 Vishay  数据手册 TVS二极管

LLP1006

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SZESD9X3.3ST5G ON Semiconductor 未分类

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