UT6K3TCR 与 74LVCH162373ADGG,1 区别
| 型号 | UT6K3TCR | 74LVCH162373ADGG,1 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-UT6K3TCR | A-74LVCH162373ADGG,1 | ||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 锁存器 | ||
| 描述 | IC 16BIT D TRANSP LATCH 48TSSOP | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 42mΩ@5A,4.5V | - | ||
| 工作热阻 | - | 37,82 | ||
| 电源电压 | - | 1.2 - 3.6 | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - | ||
| 传播延迟时间 | - | 3.2ns | ||
| FET类型 | 2N-Channel | - | ||
| 封装/外壳 | HUML2020L8 | SOT362 | ||
| 连续漏极电流Id | 5.5A | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -40°C~125°C | ||
| 输出电流 | - | ± 24mA | ||
| 通道数 | - | 16 | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 450pF @ 15V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4nC @ 4.5V | - | ||
| 逻辑切换水平 | - | TTL | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
;;6.jpg)
|
UT6K3TCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2N-Channel 30V 5.5A 42mΩ@5A,4.5V 2W -55°C~150°C HUML2020L8 |
￥1.6145
|
0 | 当前型号 | ||||
|
74LVCH162373ADGG,1 | Nexperia | 数据手册 | 锁存器 |
SOT362 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
PMDPB30XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 0.49W -55°C~150°C ±12V 20V 5.3A |
暂无价格 | 25 | 对比 | ||||
|
PMDPB56XNEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 0.485W -55°C~150°C ±12V 30V 3.1A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
PMDPB95XNE2X | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 N-Channel 0.51W 150°C 12V,1V 30V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
