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UT6JA2TCR  与  IRFHS9301TRPBF  区别

型号 UT6JA2TCR IRFHS9301TRPBF
唯样编号 A-UT6JA2TCR A-IRFHS9301TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 65 mOhm 6.9 nC 2.1 W Silicon SMT Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@4A,10V 37mΩ@7.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.1W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 2P-Channel P-Channel
封装/外壳 HUML2020L8 6-PQFN(2x2)
连续漏极电流Id 4A 6A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 580pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 305pF @ 15V 580pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V 13nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
UT6JA2TCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HUML2020L8

暂无价格 0 当前型号
IRFHS9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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