US6K2TR 与 SIA922EDJ-T1-GE3 区别
| 型号 | US6K2TR | SIA922EDJ-T1-GE3 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-US6K2TR | A3t-SIA922EDJ-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 240mΩ@1.4A,10V | 64 mOhms @ 3A,4.5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1W | 7.8W | ||||||||
| Vgs(th) | - | 1.4V @ 250uA | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | TUMT | PowerPAK® SC-70-6 双 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.4A | 4.5A | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 70pF @ 10V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2nC @ 5V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 20 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
￥5.2287
|
20 | 当前型号 | ||||||||||
|
SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 64 mOhms @ 3A,4.5V 7.8W PowerPAK® SC-70-6 双 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
