TPH1R403NL,L1Q(M 与 SIRA02DP-T1-GE3 区别
| 型号 | TPH1R403NL,L1Q(M | SIRA02DP-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-TPH1R403NL,L1Q(M | A3t-SIRA02DP-T1-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 8-SOP Advance | PowerPAK® SO-8 |
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 60A | 50A(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4mΩ@30A,10V | 2 mOhms @ 15A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 64W | 5W(Ta),71.4W(Tc) |
| Vgs(最大值) | - | +20V,-16V |
| Vgs(th) | - | 2.2V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPH1R403NL,L1Q(M | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOP Advance N-Channel 64W 1.4mΩ@30A,10V 150°C ±20V 30V 60A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 2 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),71.4W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
