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TK10A60D  与  SIHF7N60E-GE3  区别

型号 TK10A60D SIHF7N60E-GE3
唯样编号 A-TK10A60D A3t-SIHF7N60E-GE3
制造商 Toshiba Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 SIHF7N60E Series 600 V 7 A Flange Mount Power Mosfet - TO-220 FULLPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - TO-220-3
连续漏极电流Id - 7A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600 mOhms @ 3.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 31W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
TK10A60D Toshiba 功率MOSFET

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SIHF7N60E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 31W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V

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