首页 > 商品目录 > > > > Si7850DP代替型号比较

Si7850DP  与  SI7850DP-T1-GE3  区别

型号 Si7850DP SI7850DP-T1-GE3
唯样编号 A-Si7850DP-1 A36-SI7850DP-T1-GE3
制造商 XBLW Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A Single N-Channel 60 V 0.022 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 22mΩ
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 DFN5X6-8L PowerPak-8
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6.2A
系列 - TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 6,364
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.512
100+ :  ¥5.423
750+ :  ¥5.027
1,500+ :  ¥4.785
3,000+ :  ¥4.598
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
Si7850DP XBLW  数据手册 功率MOSFET

DFN5X6-8L

暂无价格 0 当前型号
SI7850DP-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 60V

¥6.688 

阶梯数 价格
8: ¥6.688
100: ¥5.566
750: ¥5.159
1,500: ¥4.906
3,000: ¥4.719
8,228 对比
SI7850DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak-8 N-Channel 60V 6.2A 22mΩ

¥6.512 

阶梯数 价格
8: ¥6.512
100: ¥5.423
750: ¥5.027
1,500: ¥4.785
3,000: ¥4.598
6,364 对比
SI7850DP-T1-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.2A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 10.3A,10V 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 60V

暂无价格 0 对比
SI7850DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) PowerPak-8 N-Channel 60V 6.2A 22mΩ

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售