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SI4532CDY-T1-GE3  与  DMC3032LSD-13  区别

型号 SI4532CDY-T1-GE3 DMC3032LSD-13
唯样编号 A-Si4532CDY-T1-GE3 A36-DMC3032LSD-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 6A,4.3A 8.1A,7A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
Rds On(Max)@Id,Vgs 47 mOhms @ 3.5A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.78W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 32mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 404.5pF @ 15V
Vgs(th) 3V @ 250uA -
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 10V
库存与单价
库存 0 3,069
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.2342
100+ :  ¥0.9444
1,250+ :  ¥0.8228
2,500+ :  ¥0.777
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8.1A,7A

¥1.2342 

阶梯数 价格
50: ¥1.2342
100: ¥0.9444
1,250: ¥0.8228
2,500: ¥0.777
3,069 对比
AO4630 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±12V 7A 2W 23mΩ@7A,10V -55°C~150°C

¥2.3077 

阶梯数 价格
1: ¥2.3077
100: ¥1.8367
1,000: ¥1.3235
1,500: ¥1.1392
3,000: ¥0.9
1,900 对比
IRF7319PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

29mΩ@5.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) N+P-Channel 30V 6.5A,4.9A 8-SO

暂无价格 0 对比
AUIRF7379QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

30V 5.8A,4.3A 45mΩ@5.8A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规

暂无价格 0 对比
FDS8858CZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥3.85 

阶梯数 价格
20: ¥3.85
100: ¥3.212
707 对比

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