SUP90N06-6M0P-E3 与 AUIRF3808 区别
| 型号 | SUP90N06-6M0P-E3 | AUIRF3808 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUP90N06-6M0P-E3 | A-AUIRF3808 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.82mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ | 7mΩ |
| 产品特性 | - | 车规 |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 2V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 53A | 140A |
| 长度 | - | 10.66mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 高度 | - | 16.51mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 68 ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| 晶体管材料 | - | Si |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),272W(Tc) | 330W |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 系列 | TrenchFET® | HEXFET |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4700pF @ 30V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 16 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 27 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP90N06-6M0P-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),272W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 60V 53A 5mΩ |
暂无价格 | 27 | 当前型号 | ||||||||
|
STP80N6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 13,950 | 对比 | ||||||||
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STP80N6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥2.5806
|
1,886 | 对比 | ||||||||
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AUIRF3808 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
140A 7mΩ 330W -55°C~175°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
STP80N6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
IRFB7545PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.9mΩ@57A,10V N-Channel 60V 95A TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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