SUP85N15-21-E3 与 IRFB41N15DPBF 区别
| 型号 | SUP85N15-21-E3 | IRFB41N15DPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUP85N15-21-E3 | A-IRFB41N15DPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21 mOhms @ 30A,10V | 45mΩ@25A,10V |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W(Ta),300W(Tc) | 200W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 85A(Tc) | 41A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2520pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 110nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP85N15-21-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
85A(Tc) N-Channel 21 mOhms @ 30A,10V 2.4W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 150V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
PSMN030-150P,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 250W 175°C 3V 150V 55.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 211W 175°C 3V 100V 89A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFB4321PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 350W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15mΩ@33A,10V N-Channel 150V 85A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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IRFB41N15DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
IRFB4115PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 380W(Tc) 11mΩ@62A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 104A 150V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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