SUP70090E-GE3 与 TK35E08N1 区别
| 型号 | SUP70090E-GE3 | TK35E08N1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUP70090E-GE3 | A3t-TK35E08N1 |
| 制造商 | Vishay | Toshiba |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET | Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK35E08N1, 55 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 72W |
| 宽度 | - | 4.45mm |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | TO-220AB-3 | 10.16*4.45*15.1mm |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 50A | 55 A |
| 长度 | - | 10.16mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 7.5V,10V | - |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 导通电阻Rds(On) | 7.4mΩ | 12.2 m0hms |
| 高度 | - | 15.1mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 35 ns |
| 功率耗散Pd | 125W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 2V | 1700 pF @ 40 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | 增强 |
| 系列 | ThunderFET® | TK |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1950pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | - |
| 典型接通延迟时间 | - | 28 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP70090E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 50A 7.4mΩ 2V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF100B202 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 97A(Tc) 8.6mΩ@58A,10V ±20V 221W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 100V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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TK22E10N1 | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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PSMN034-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 34.5mΩ@10V 86W 175°C 3V 100V 32A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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TK35E08N1 | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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PSMN034-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 34.5mΩ@10V 86W 175°C 3V 100V 32A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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