SUP57N20-33-E3 与 IRFB38N20DPBF 区别
| 型号 | SUP57N20-33-E3 | IRFB38N20DPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUP57N20-33-E3 | A-IRFB38N20DPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 0.033 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 60 nC 3.8 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 33 mOhms @ 30A,10V | 54mΩ@26A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),300W(Tc) | 3.8W(Ta),300W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 57A(Tc) | 38A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 91nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2900pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 91nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP57N20-33-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
57A(Tc) N-Channel 33 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 200V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB4227PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 330W(Tc) 24mΩ@46A,10V -40°C~175°C(TJ) N-Channel 65A 200V TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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IRFB38N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
STP30NF20 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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FQP32N20C | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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|
STP30NF20 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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