SUP50020EL-GE3 与 PSMN2R5-60PLQ 区别
| 型号 | SUP50020EL-GE3 | PSMN2R5-60PLQ |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUP50020EL-GE3 | A-PSMN2R5-60PLQ |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET | MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.8mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 1.2V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 349W |
| 输出电容 | - | 1025pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1.7V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB-3 | SOT78 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 120A | 150A |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 11113pF @ 30V | - |
| 输入电容 | - | 11700pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 126nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 2.6mΩ@10V,3.15mΩ@4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP50020EL-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 120A 2.8mΩ 1.2V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFB3006GPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB7534PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 294W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@100A,10V N-Channel 60V 232A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN2R5-60PLQ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 349W 175°C 1.7V 60V 150A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFB7537PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 173A(Tc) ±20V 230W(Tc) 3.3mΩ@100A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRF2805PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 75A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
