SUP50020EL-GE3 与 IRF2805PBF 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	SUP50020EL-GE3	IRF2805PBF
唯样编号	A-SUP50020EL-GE3	A-IRF2805PBF
制造商	Vishay	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET	Single N-Channel 55 V 4.7 mOhm 230 nC 330 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表	SUP50020EL-GE3.pdf	IRF2805PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.8mΩ	4.7mΩ@104A,10V
漏源极电压Vds	1.2V	55V
Pd-功率耗散(Max)	375W(Tc)	330W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220AB-3	TO-220AB
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	120A	75A
系列	TrenchFET®	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	11113pF @ 30V	5110pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	126nC @ 10V	230nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	5110pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	230nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
SUP50020EL-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 120A 2.8mΩ 1.2V	暂无价格	当前型号
IRFB3006GPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB	暂无价格	对比
IRFB7534PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 294W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.4mΩ@100A,10V N-Channel 60V 232A TO-220AB	暂无价格	对比
PSMN2R5-60PLQ	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 349W 175°C 1.7V 60V 150A	暂无价格	对比
IRFB7537PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	N-Channel 60V 173A(Tc) ±20V 230W(Tc) 3.3mΩ@100A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220	暂无价格	对比
IRF2805PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 75A TO-220AB	暂无价格	对比