SUP40N25-60-E3 与 FQP27N25 区别
| 型号 | SUP40N25-60-E3 | FQP27N25 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUP40N25-60-E3 | A3t-FQP27N25 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 180W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60 mOhms @ 20A,10V | 110 毫欧 @ 12.75A,10V |
| 漏源极电压Vds | 250V | 250V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),300W(Tc) | 180W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 25.5A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 65nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2450pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 65nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP40N25-60-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 60 mOhms @ 20A,10V 3.75W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 250V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP50NF25 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 550 | 对比 |
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STP50NF25 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDP51N25 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
51A(Tc) ±30V 320W(Tc) 60m Ohms@25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 250V 51A 60 毫欧 @ 25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FQP27N25 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
180W(Tc) 110m Ohms@12.75A,10V -55°C~150°C(TJ) 25.5A N-Channel 250V 25.5A(Tc) ±30V 110 毫欧 @ 12.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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