SUM70040E-GE3 与 IRF100S201 区别
| 型号 | SUM70040E-GE3 | IRF100S201 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUM70040E-GE3 | A-IRF100S201 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 120 A 4 mO SMT ThunderFET Power Mosfet - TO-263 | IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4 mOhms @ 20A,10V | 4.2mΩ@115A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 441W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 120A(Tc) | 192A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET®,StrongIRFET™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9500pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 255nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 9500pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 255nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 72 | 10 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUM70040E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 4 mOhms @ 20A,10V 375W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 72 | 当前型号 |
|
AOB2904 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 120A 326W 4.4mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AUIRFS4010-7P | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V -55°C~175°C(TJ) 190A 3.3mΩ 20V 380W N-Channel 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK964R7-80E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 324W 175°C 1.7V 80V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB |
暂无价格 | 10 | 对比 |
|
CSD19535KTT | TI | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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