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SUM65N20-30-E3  与  IRFS4227  区别

型号 SUM65N20-30-E3 IRFS4227
唯样编号 A-SUM65N20-30-E3 A-IRFS4227
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
零件号别名 SUM65N20-30 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@30A,10V 26mΩ
漏源极电压Vds 200V 200V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),375W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V 30V
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 23.0nC
封装/外壳 D2PAK D2PAK (TO-263)
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 65A 62A
系列 SUM -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
Ptot max - 330.0W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V -
QG - 70.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Tj max - 175.0°C
Budgetary Price €€/1k - 1.14
RthJC max - 0.45K/W
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM65N20-30-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A

暂无价格 0 当前型号
IRFS4227PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 26mΩ@46A,10V N-Channel 200V 62A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4227 Infineon  数据手册 功率MOSFET

26mΩ 200V D2PAK (TO-263) N-Channel 30V 62A

暂无价格 0 对比

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