SUM65N20-30-E3 与 IRFS4127TRLPBF 区别
| 型号 | SUM65N20-30-E3 | IRFS4127TRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUM65N20-30-E3 | A-IRFS4127TRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | N-Channel 200 V 22 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.75W(Ta),375W(Tc) | 375W(Tc) |
| 零件号别名 | SUM65N20-30 | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | D2PAK |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 65A | 72A |
| 系列 | SUM | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5100pF @ 25V | 5380pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | 150nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | 30mΩ@30A,10V | 22mΩ@44A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 5380pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 150nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM65N20-30-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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IRFS4227PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 26mΩ@46A,10V N-Channel 200V 62A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STB75NF20 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥23.352
|
922 | 对比 | |||||||
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IRFS4127PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS38N20DPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFS4127TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@44A,10V N-Channel 200V 72A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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