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SUM65N20-30-E3  与  IRFS38N20DPBF  区别

型号 SUM65N20-30-E3 IRFS38N20DPBF
唯样编号 A-SUM65N20-30-E3 A-IRFS38N20DPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
零件号别名 SUM65N20-30 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ@30A,10V 54mΩ@26A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),375W(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 65A 38A
系列 SUM HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5100pF @ 25V 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V 91nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM65N20-30-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.75W(Ta),375W(Tc) 30mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 200V 65A

暂无价格 0 当前型号
IRFS4227PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 26mΩ@46A,10V N-Channel 200V 62A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS38N20DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 54mΩ@26A,10V N-Channel 200V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比
NTB30N20T4G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
IRFS4227TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 26mΩ@46A,10V N-Channel 200V 62A TO-263-3

暂无价格 0 对比
FQB19N20CTM ON Semiconductor 通用MOSFET

3.13W(Ta),139W(Tc) 170m Ohms@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 19A N-Channel 200V 19A(Tc) ±30V 170 毫欧 @ 9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) D²PAK(TO-263AB) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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